Transistorstrukturtyp
Nov 02, 2019| Fortsätt ladda säkert med SChitec
Transistorstrukturtyp
Transistorn är gjord av två tätt åtskilda PN-övergångar på ett halvledarsubstrat. De två PN-övergångarna delar upp den monolitiska halvledaren i tre delar, den mellersta delen är basarean och de två sidorna är emitterområdet och kollektorområdet. PNP och NPN.
Motsvarande elektroder tas från de tre områdena, som är basen b emitter e respektive kollektorn c.
PN-övergången mellan emitterområdet och basområdet kallas emitterövergången, och PN-övergången mellan kollektorområdet och basområdet kallas kollektorövergången. Basområdet är mycket tunt och emitterområdet är tjockt och föroreningskoncentrationen är stor. Triodemitterområdet av PNP-typ "sänds ut" av hål, och dess rörelseriktning överensstämmer med den aktuella riktningen, så emitterpilen är inåt; transistoremitterområdet av NPN-typ "lanseras". "De fria elektronerna rör sig i motsatt riktning av strömmen, så emitterpilen är utåt. Emitterpilen pekar på ledningsriktningen för PN-övergången vid framspänningen. Både kiseltransistorn och germaniumtransistorn har både PNP-typ och NPN-typ.
Transistorpaketform och stiftidentifiering
Vanligt använda trioder finns i metall- och plastförpackningar. Arrangemanget av stiften har ett visst mönster.
Den nedre vypositionen är placerad så att de tre stiften bildar spetsen på den likbenta triangeln, som är ebc från vänster till höger; för den lilla och medelstora plasttrioden är planet vänd mot sig själv och de tre stiften vända nedåt, sedan från vänster Till höger är ebc.
Det finns många typer av kristalltrioder i landet, och arrangemanget av stiften är inte detsamma. Vid användning av trioderna i vilka stiften är anordnade, måste mätningen göras för att bestämma den korrekta positionen för varje stift, eller så kan transistormanualen hittas för att förtydliga trioden. Egenskaper och motsvarande tekniska parametrar och information.


