Miller-platåtiden är nästan noll (se figur 3) och den totala omkopplingsförlusten minskar med minst 70 %
Oct 19, 2022| Miller-platåtiden är nästan noll (se figur 3) och den totala omkopplingsförlusten minskar med minst 70 %
Som visas i Tabell 1, med samma RDS(ON), har galliumnitrid en mindre parasitisk kapacitans, och Ciss och Crss är 1/12 respektive 1/23 av Si CoolMOS, vilket resulterar i en snabbare omkopplingshastighet. I BTPPFC snabbbryggarm minskar ström- och spänningsöverlappningstiden med mer än 88 % (se figur 2). Miller-platåtiden är nästan noll (se figur 3) och den totala kopplingsförlusten minskas med minst 70 %.
Coss för InnoGaN är mindre och har bättre linjäritet (se figur 4). När Vds är låg är Coss för GaN mycket mindre än för Si MOS, och Si kommer att ha en lutning mutationsprocess. Det kan ses från systemets vågform att växlingsöverlappningsförlusten för GaN är mycket mindre än den för Si MOS, och Dv/dt för GaN i t2-t3-segmentet är mindre än den för Si MOS, så EMI-brus som genereras är också mindre.
