Fälteffekttransistor kvartskristalloscillator

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SCitec) är ett högteknologiskt företag som specialiserat sig på produktion och försäljning av telefontillbehör. Våra huvudprodukter inkluderar reseladdare, billaddare, USB-kablar, powerbanks och andra digitala produkter. Alla produkter är säkra och pålitliga, med unika stilar. produkter passerar certifikat som CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick, etc. , Om du är intresserad av kan du kontakta ceo@schitec.com direkt.

Fortsätt ladda säkert med SChitec

Fälteffekttransistor kvartskristalloscillator

Kretsschemat för fälteffekttransistorns kvartskristalloscillator visas i figuren

Oscillatorn fungerar i 51mhz (17mhz 3rd harmonic) kristall. Enligt den olika strukturen kan 0.5-1.8pf väljas som kapacitans mellan drain och gate. L2-varv är cirka 20 % av L1. Svängningsegenskaperna kan ändras med 470 ohm källresistans.

① kapacitans mellan polerna. Det finns tre interelektrodkapacitanser i FET, vilka är gate source kapacitans CGS, gate drain kapacitans CGD och source drain kapacitans CDs. CGS och CGD är i allmänhet {{0}}pf, och CD-skivor är ungefär 0.1-1pf

② maximal läckström IDM.

Det hänvisar till den maximala ström som tillåts passera genom dräneringskällan för FET.

③ förlusteffekten PD för FET.

Det hänvisar till den effekt som förbrukas när FET fungerar.

④ lågfrekvent bruskoefficient NF.

Ljudet från FET orsakas av oregelbundenhet i bärarens rörelse. Dess existens kommer att göra en förstärkare även om det inte finns någon signalingång, det kommer att finnas oregelbundna förändringar i utspänningen eller strömmen. Den lågfrekventa bruskoefficienten för FET är mindre än den för halvledartriod.