Fälteffekttransistor

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SCitec) är ett högteknologiskt företag som specialiserat sig på produktion och försäljning av telefontillbehör. Våra huvudprodukter inkluderar reseladdare, billaddare, USB-kablar, powerbanks och andra digitala produkter. Alla produkter är säkra och pålitliga, med unika stilar. produkter passerar certifikat som CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick, etc. , Om du är intresserad av kan du kontakta ceo@schitec.com direkt. 

Fortsätt ladda säkert med SChitec

Fälteffekttransistor

Innebörden av "fälteffekt" är att arbetsprincipen för denna transistor är baserad på halvledarens elektriska fälteffekt.

Fälteffekttransistor En transistor som arbetar enligt principen om fälteffekt. Fälteffekttransistorer innehåller i sin tur två huvudtyper: Junction FET (JFET) och Metal-Oxide Semiconductor FET (MOS-FET). Till skillnad från BJT är FET:er endast elektriskt ledande av en typ av bärare (majoritetsbärare) och kallas därför även för unipolära transistorer. Den tillhör en spänningsstyrd halvledarenhet och har fördelarna med hög ingångsresistans, lågt brus, låg strömförbrukning, stort dynamiskt omfång, enkel integration, inget sekundärt haveri och ett brett säkert arbetsområde.

Fälteffekten är att ändra riktningen eller storleken på det applicerade elektriska fältet vinkelrätt mot ytan av halvledaren för att styra tätheten eller typen av majoritetsbärare i det ledande halvledarskiktet (kanalen). Det är en spänningsmodulerad ström i kanalen vars driftsström transporteras av majoritetsbärare i halvledaren. En sådan transistor där endast en typ av polär bärare deltar i ledning kallas också en unipolär transistor. Jämfört med bipolära transistorer har fälteffekttransistorer egenskaperna hög ingångsimpedans, lågt brus, hög gränsfrekvens, låg strömförbrukning, enkel tillverkningsprocess och bra temperaturegenskaper. De används ofta i olika förstärkarkretsar, digitala kretsar och mikrovågskretsar. Vänta. Kiselbaserade metall-0-oxid-halvledarfälteffekttransistorer (MOSFET) och galliumarsenidbaserade Schottky-barriärfälteffekttransistorer (MESFET) är de två viktigaste fälteffekttransistorerna. De är de grundläggande enheterna i MOS LSI och MES ultrahöghastighets integrerade kretsar.